第四十七章 新的目标
之后的几天，许秋又做了两批器件，一批是重复PEN基片的，另一批是在同样实验条件下玻璃基片的bqrs• cc
PTB7-TH体系中，PEN基片的最高效率提高了一点点，达到了%bqrs• cc
而玻璃基片下的标准样品，最高效率可达%bqrs• cc
这个数值，相比于他之前在模拟实验室中得到的%，稍差一些，可能是器件结构不同造成的bqrs• cc
PEN基片不能高温热退火，所以用的是PEDOT:PSS传输层的正常结构，而之前使用的是氧化锌传输层的倒置结构bqrs• cc
此外，虽然重点在于PTB7-TH体系，但是许秋也做了P3HT体系bqrs• cc
主要是为了让文章数据更加丰满一些，同时也说明这种柔性衬底的加工方式具有普适性bqrs• cc
再之后，许秋完成了各种表征测试，包括光吸收光谱、荧光光谱、CELIV测试等，还拍了一张用两只镊子弯曲PEN基片器件的照片bqrs• cc
在实验进行的间隙，许秋也在同步以论文的形式，写项目的结题报告bqrs• cc
这个时候，他前期阅读了大量的文献的优势就体现出来了，再加上他还可以随时向学姐请教bqrs• cc
因此论文写起来压力并不大bqrs• cc
正文部分，许秋先将四组器件编号，PEN基片的PTB7-TH、P3HT体系，分别为1#、3#，玻璃基片对应的体系分别为2#、4#bqrs• cc
然后，主要就是比较玻璃和PEN这两种基片的不同，对器件性能的影响，并分析其可能的原因bqrs• cc
像是光学性能，光吸收光谱和荧光光谱都是直接测有效层薄膜的，数据对两种基片的器件都是一样的bqrs• cc
所以不需要比较，直接将得到的图片信息转化为文字就可以了bqrs• cc
比如：1#、2#有效层共混薄膜的主要光吸收范围在550-750纳米，最高吸收峰位置在680纳米处，3#、4#的主要光吸收范围在300-600纳米，最高吸收峰位置在530纳米处bqrs• cc
荧光光谱则相对复杂一些，两种体系都需要分别测试给体、受体单独组分薄膜和共混薄膜的荧光光谱，然后计算荧光淬灭效率bqrs• cc
不过，同样是看图说话，也没什么难度bqrs• cc
而像是CELIV，则是对电池器件进行表征，那么不同样品编号的器件测试的结果就会有所不同，就需要进行比较分析bqrs• cc
许秋的测试结果：
1#的载流子迁移率是-4厘米平方每伏