实验成功。”
“他们的研发思路是没有错，只要稍微修正一下设计，这样可以把制备流程缩短30%，生产本钱会大幅降落，以后良品率也会很轻易上往。”
“杨少你真是天才，一眼就看出了这里面的问题，连如何修正都想好了，有你这样的天才，我想国外那些闪存大厂要掉眼泪了。”
杨杰哈哈笑一笑，老天爷好不轻易让自己重生一回，自己手头上有大批的技巧专利，不拿出利用那简直太暴殄天物了！
“我都猜忌杨少你上辈子是不是搞ic的？这辈子是带着记忆投胎？为什么有着如此多的想法？”
“谭总你可是还科学家呢！怎么还信任这一套！”
谭云松笑了起来：“没措施，国内在半导体产业上有着如此快速的提升，这就是一个奇迹呀！根本没措施用科学来解释。”
“这不是谭总最盼看看到的成果么。”杨杰笑着道。
越日，杨杰也是涌现在了新蓝科技公司的研发中心，会议室里面坐满了公司研发部分的技巧工程师，中间还有二十多名的美国的工程师。
他指着投影屏幕上自制的ppt说道：“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层尽缘薄膜，这三层薄膜分辨是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕捉电子，达到存储电荷的目标，带电就是1，不带电就是0。”
杨杰持续说道：“氮化硅之前只是用在对底层金属实现笼罩，由于针孔很少，对水汽和钠在氮化硅材料中扩散非常慢，这次我们将氮化硅注进沟道边沿。”
他看到众人都是露出了困惑的表情，笑着解释道：“我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，在对单元进行写进操作时，采用热电子注进法，将热电子注进沟道边沿的氮化硅，这样就完成了写进过程，在作擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注进沟道边沿的氮化硅，打消电荷，就完成了擦除。
“由于氮化硅的尽缘性，热电子效应产生的电子只能被注进并限制在沟道边沿。正是这样，两侧沟道一旦全部带电就是11，全部不带电就是00，但是我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会涌现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺转变的条件下，让现有的闪存容量增长了一倍。”
“在这个基础上，我们可以今后发展出多电压把持栅极多层注进电荷技巧产品，实现多层的堆叠，可以用这种技巧在现有的制程工艺上最大限度地增长闪存的容量，而不是完整依附制程工艺的提升，这也大大地降低了闪存的本钱。”
听到这里，会议室里一片哗然，众人都是无比惊喜，韩小龙此时激动地鼓掌，随后大家都是随着用